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图3：大数度集（左）在蓝宝石衬底不同晶面上，通过VLS模式实现的GaN纳米线异质外延引导生长。图6：据中（左）通过平面纳米线线形调控实现的超可拉伸晶硅纳米线沟道，以及连续可拉伸网格结构。
因此，中采文章重点介绍了更为直接有效的平面纳米线生长技术。此工作得到南京大学电子学院陈坤基教授、次计施毅教授和王军转副教授的大力支持，次计以及自然科学基金面上项目、重点研发计划和江苏省杰出青年基金等项目的资金支持，在此一并表示衷心的感谢。划安图1：（左）基于先生长-再转移策略的各种平面纳米线定向规则排布技术。
以上综述内容近期发表于AdvancedMaterials 31,1903945(2019)DOI:10.1002/adma.201903945,PlanarGrowth,Integration,andApplicationsofSemiconductingNanowires，国网购批https://doi.org/10.1002/adma.201903945,孙莹同学，国网购批董泰阁同学为共同第一作者，余林蔚教授和徐骏教授为通信作者。如此，大数度集可以获得位置、直径和形貌都可控的1D纳米线沟道。
据中图2：利用衬底表面纳米孔径引导沟道实现的平面硅纳米线生长和原型电学器件。
面向规模化器件应用，中采其主要技术挑战在于如何高效制备微纳孔洞阵列，中采由于纳米线的直径直接由孔径大小调控，制备直径在几十到百纳米量级的孔洞往往需要昂贵的高精度电子束EBL刻蚀工艺。长风破浪正当时，次计直挂云帆启新程。
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